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AMD于2009年1月8日,发布了第一个Phenom X4(四核)处理器

卖火柴的十一
06月05日 15:00
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AMD于2009年1月8日,发布了第一个PrompomII X4(四核)处理器(6M高速缓存,2.5至3.7GHz,1066兆赫或1333兆赫FSB)。

AMD于2009年1月8日,发布了第一个Phenom X4(四核)处理器

扩展阅读

Phenom X4系列处理器有以下特点:

浸没式光刻技术(Immersion Lithography)

通过与IBM公司的合作,AMD公司已经制定了一个稳定、高效的浸没式光刻技术进程,在保持产量符合传统光刻技术的同时更是有着超过常规光刻技术40%的涨幅,采用AMD公司45纳米技术的晶圆已经开始应用浸没式光刻技术了,AMD公司的分析表明,浸没式光刻技术是一种比传统光刻技术更有效率,更具本效益的方法。

第四代应变硅技术(Fourth-generation Strained Silicon)

AMD公司的45纳米制造工艺采用了他们的第四代应变硅(Fourth-generation Strained Silicon)技术,利用硅锗、双应力应变硅以及先进的应变记忆技术,能够有效提高晶体管的开关速度和电源效率。对于终端处理器产品而言,其运作时钟频率和效能均将从中获益。

超低K电介质(Ultra-low-k Dielectrics)

在一些日后的45纳米产品上,AMD公司计划采用超低K电介质(Ultra-low-k Dielectrics)以减少半导体芯片上晶体管间连接铜导线的延误率多达15%。低介电常数材料K值为3.0,而在采用超低K电介质后其K值为2.4,这无疑有助于芯片整体效能的提高。

高K栅介质和金属栅电极(High-k/metal Gates)

做为AMD公司“持续改进晶体管办法”(Continuous Transistor Improvement,CTI)的核心,AMD公司已经选择采用高K栅介质和金属栅电极,他们选择与IBM公司合作开发的方法,旨在用最有效率的方式迁移至高K栅介质和金属栅电极,这将进一步提高性能和降低能耗。

AMD于2009年1月8日,发布了第一个Phenom X4(四核)处理器


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